天岳先进8英寸长晶炉：自主研发，掌握核心技术

摘要： 天岳先进(688234.SH)近日在投资者互动平台回应投资者提问，确认公司目前使用的8英寸长晶炉主要为公司自行设计，运行良好。这则简短的回应背后，体现出天岳先进在碳化硅(SiC...

天岳先进(688234.SH)近日在投资者互动平台回应投资者提问，确认公司目前使用的8英寸长晶炉主要为公司自行设计，运行良好。

这则简短的回应背后，体现出天岳先进在碳化硅(SiC)单晶生长领域的强大技术实力。公司并非单纯依赖外部设备，而是掌握了从设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长到衬底加工的完整产业链核心技术。尤其值得关注的是，公司在碳化硅单晶生长设备和热场设计制造技术方面，已经拥有多项相关专利，这构筑了其在市场竞争中的核心壁垒。

自主研发长晶炉的优势在于：

• 成本控制: 自主生产可以有效降低生产成本，提高利润率。减少对外部供应商的依赖，降低供应链风险。
• 技术保密: 核心技术掌握在自己手中，可以更好地保护技术机密，避免技术泄露。
• 定制化生产: 根据自身需求灵活调整设备参数，提高生产效率和产品质量。
• 快速迭代: 自主研发能够加快技术迭代速度，快速适应市场变化。

天岳先进的这一举动，也反映出国内半导体产业链自主可控的大趋势。面对国际竞争日益激烈的局面，掌握核心技术，拥有自主知识产权，已成为国内企业提升竞争力的关键。天岳先进在碳化硅领域的布局，为国内半导体产业发展注入了强心剂。

当然，我们也需要看到，自主研发也面临着高投入、高风险的挑战。天岳先进能够在8英寸长晶炉的研发和生产上取得成功，与其长期以来对技术的积累和研发投入密不可分。

未来，天岳先进需要持续加大研发投入，不断提升技术水平，巩固其在碳化硅产业链中的领先地位。投资者也需要密切关注公司的研发进展和市场动态，做出理性投资决策。

免责声明：本文仅供参考，不构成投资建议。