三星抢滩DRAM未来：第七代10纳米级DRAM测试线建成在即，剑指市场领导地位 三星电子正以前所未有的速度推进下一代DRAM技术研发。据韩国媒体报道，在第六代DRAM(1c)尚未量产之际，三星已在平泽P2厂建立了第七代(1d) 10纳米级DRAM的测试线，预计明年第一季度全面建成。这条测试线，被称为“单路径线”，主要用于评估新一代芯片的量产潜力，将成为提高良率的关键环节。此...
